A Samsung Electronics anunciou nesta terça-feira (04) uma nova geração de tecnologias de memória voltadas para sistemas de inteligência artificial durante a conferência Future of Memory and Storage, realizada em Santa Clara, na Califórnia.
A empresa sul-coreana apresentou o protótipo V10 Bonding V-NAND, também chamado de BV-NAND, uma solução criada para ampliar a capacidade de armazenamento e melhorar o desempenho de aplicações de IA que exigem maior volume de dados.
A fabricante afirmou que a nova arquitetura combina mais de 400 camadas e uma tecnologia de ligação entre wafers capaz de elevar a densidade de memória, reduzir limitações térmicas e aumentar a eficiência no consumo de energia.
Samsung aposta em novas arquiteturas para atender expansão da inteligência artificial
Chips de memória – Imagem: Kinek00/Shutterstock.comA evolução dos sistemas de inteligência artificial, especialmente aqueles voltados à geração de respostas a usuários, tem aumentado a procura por memórias de alta capacidade. Nesse cenário, a Samsung busca fortalecer sua posição no mercado de chips ao desenvolver soluções específicas para cargas de trabalho mais intensas.
De acordo com a companhia, a tecnologia BV-NAND representa um avanço em relação à geração anterior V9 NAND, com crescimento aproximado de 58% na densidade de memória. A empresa também informou melhorias nas operações de leitura, gravação e entrada e saída de dados, características importantes para aplicações que dependem de armazenamento mais rápido.
Além do novo protótipo, a Samsung apresentou conceitos de arquiteturas chamadas zHBM e zNAND-O, que fazem parte da estratégia da companhia para o desenvolvimento de memórias tridimensionais. A proposta envolve o empilhamento vertical de células de memória para concentrar mais informações em menos espaço.
A corrida por mais poder computacional da IA também aumenta a demanda por novas estruturas de energia. – Imagem: FOTOGRIN/ShutterstockSegundo a fabricante, a tecnologia zHBM se diferencia das memórias de alta largura de banda tradicionais porque posiciona os componentes de memória verticalmente sobre aceleradores de inteligência artificial, reduzindo o caminho percorrido pelos dados e ampliando a eficiência energética.
A Samsung também declarou que sua tecnologia de ligação entre wafers pode permitir uma densidade de memória superior a dez vezes a de soluções convencionais baseadas em HBM5. A empresa acrescentou que a abordagem pode triplicar a eficiência energética e diminuir a resistência térmica em mais da metade.
O anúncio ocorre em meio a debates sobre o futuro da demanda por chips de memória. Enquanto alguns investidores demonstram preocupação com possíveis impactos de uma redução no consumo de smartphones na China, analistas citados no mercado apontam que o avanço da inteligência artificial mantém a procura em níveis elevados.
A companhia revelou recentemente que contratos de longo prazo com clientes podem representar entre 60% e 70% de suas vendas de memória no futuro. Avaliações do Citi indicaram ainda que os estoques das cadeias de fornecimento de DRAM e NAND permanecem abaixo das médias históricas, apesar das incertezas sobre outros segmentos do mercado.
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